二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状

来源 :漳州师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yayayda

【摘要】

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黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒

【作者】

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钟南保程树英郑明学黄赐昌

【机构】

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福州大学

【出处】

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漳州师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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二硫化铁薄膜制备方法光电性能 pyrite thin film preparation method optical and electrical

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黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.

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