【摘 要】
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对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(61405198),国家863计划(2013AA014202)资助项目
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对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件单模光纤的平均耦合功率从1850μW提高至2326μW,耦合效率从21.1%提高到26.5%。对两种激光器进行光电参数的测量,结果表明:与常规封装器件相比,采用反射式倒装结构器件的饱和电流从135mA提高至155mA,饱和输出功率从37mW
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