用ECRCVD方法制备优质氮化硅钝化膜

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jfm98999

【摘要】

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利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光

【作者】

：

吴振宇汪家友杨银堂

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

氮化硅钝化膜电子回旋共振等离子体化学气相沉积制备 ECR-CVD 低温沉积 electron cyclotron resonance chemical

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利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低.薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大.折射率随微波功率的增大而减小,随混合气体中硅烷比例的增大而增大.在相同气体混合比和微波功率条件下

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