SiCSiO2界面的原子分辨率三维重构

来源 :2015年全国电子显微学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yweifeng

【摘要】

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碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的SiO2绝缘层.SiC基金属氧化物半导体场效应晶

【作者】

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刘培植许并社郭俊杰

【机构】

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太原理工大学新材料工程研究中心山西太原030024;太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室,山西太原030024

【出处】

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2015年全国电子显微学学术会议

【发表日期】

：

2015年10期

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碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的SiO2绝缘层.SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以取代硅基半导体器件被用于高温、高频、高功率等极端环境下.SiC基MOSFET的主要缺陷是相比于SiC块体的电子迁移率(～800 cm2/Vs),其沟道电子迁移率(30 ～ 50 cm2/Vs)太低.在MOSFET器件中,加载在栅极的电压诱导反型层形成导电沟道,使载流子在源极和漏极间导通.

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