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碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dingwei1234
【摘 要】
:
采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
透射电子显微镜
棱柱位错环
Te沉淀
【基金项目】
:
国家自然科学基金;
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采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.
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