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以碳化稻壳为原料，采用包埋法在C／C复合材料表面制备了SiC涂层。用X衍射仪、扫描电镜及能谱分析仪对SiC涂层晶相、微观形貌及成分进行了分析，并探讨了涂层的形成机理。研究结果表明：所制备的SiC涂层呈网状结构，以β-SiC为主，并含有少量的α—SiC，纯度较高；碳化稻壳中含有的纳米级的SiO2微晶是低温下制备SiC涂层及涂层呈网状结构的主要原因。