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通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。
77K下电流增益为2.6万的SiGe／SiHBT
【摘 要】
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通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年3期
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