【摘 要】
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采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,太原科技大学材料科学与工程学院
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采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的第一个吸收峰在约3.9eV处,Si5结构的第一个吸收峰在约4.6eV处。计算表明,Si纳米颗粒中Si原子数与包埋基质的分子数之比为45.46%是一种较好的结构参数,对可见光区吸收效果好。
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