电子储存环直线节中的轫致辐射的剂量率的计算

来源 :高能物理与核物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shunniu

【摘要】

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电子储存环的电子束流与环中的残余气体碰撞会产生轫致辐射,这也是造成储存环中束流损失的主要原因之一.一直以来,由于各种原因,人们在辐射防护上并没有给予它足够的重视.本

【作者】

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杨春李裕熊

【机构】

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中国科学技术大学国家同步辐射实验室

【出处】

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高能物理与核物理

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

储存环轫致辐射剂量率经验公式

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电子储存环的电子束流与环中的残余气体碰撞会产生轫致辐射,这也是造成储存环中束流损失的主要原因之一.一直以来,由于各种原因,人们在辐射防护上并没有给予它足够的重视.本文通过一些经验公式对该轫致辐射进行了分析和计算:(1) 该轫致辐射会导致较高的剂量率,尤其是在直线节;(2) 影响剂量率的几个主要因素;(3) 轫致辐射中的高能粒子占有很大的比例.

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