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采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片，采取铂扩散的方法引入复合中心，从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间．通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性，表明在扩散时间一定的条件下，随着铂扩散温度的升高，反向恢复时间TRR呈线性下降趋势；并且相同扩散温度条件下，电阻率越小的样品TRR值越小．随着铂扩散时间的增加，TRR值逐渐减小．分析了TRR以及正向压降VF的温度特性，表明随着工作温度的升高，TRR呈上升趋势，而VF随温度的升高而下降．