【摘 要】
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介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和正向峰值压降VFM的影响,用高分辨率深能级瞬
【机 构】
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南京大学物理学院,无锡爱邦辐射技术有限公司
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介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和正向峰值压降VFM的影响,用高分辨率深能级瞬态仪(DLTS)测定和研究了引入缺陷能级的性质.应用研究结果表明,辐照快速二极管体内引入的缺陷能级是导致其电参数(t)(n)和VFM变化的直接原因,该技术可成功取代传统的掺金工艺,并具有τ控制精确,(t)(n)和VFM一致性好、重复性好、合格率高、工艺简便的优点,是一项具有发展前途的工艺技术.
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