【摘 要】
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<正> 光刻在MOS电路工艺中占着非常重要的位置,光刻工艺质量对电路的性能、可靠性,尤其足对成品率的影响很大。腐蚀是光刻工艺的重要环节,而腐蚀液的性能和正确使用又是保证
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<正> 光刻在MOS电路工艺中占着非常重要的位置,光刻工艺质量对电路的性能、可靠性,尤其足对成品率的影响很大。腐蚀是光刻工艺的重要环节,而腐蚀液的性能和正确使用又是保证腐蚀质量的关键。腐蚀主要是要求腐蚀作用稳定、和缓而不侵蚀光刻胶或侵蚀作用很小。腐蚀不同材料需要采用不同的腐蚀液,根据P-沟铝栅MOS工艺的要求,铝腐蚀所需的磷酸应含H3PO4 85％以上的MOS级试剂,它酸性较弱,对光刻胶侵蚀很小,它与铝的反应如下:
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