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掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构
掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:X446873887
【摘 要】
:
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子
【作 者】
:
宋久旭
杨银堂
柴常春
李跃进
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2007年10期
【关键词】
:
掺氮
电子结构
锯齿型单壁碳纳米管
第一性原理
nitrogen doping
electrical structures
SWCNT
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基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.
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