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为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料, 对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究.计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数χ(2)2ω,给出了χ(2)2ω随阱宽、阶梯的高度和宽度、势垒宽度、入射波长等因素变化的规律.
半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率
【摘 要】
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为优化二次谐波产生器件的性能,研究和开发新的非线性光学材料, 对半导体非对称阶梯量子阱结构的性质进行了研究.计算了共振增强效应下的二阶非线性光学系数χ(2)2ω,给出了
【机 构】
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西南交通大学应用物理系
【出 处】
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西南交通大学学报
【发表日期】
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2002年2期
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