自由立体显示器定向背光侧面发光光纤

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangj30
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
设计并研究了一种采用激光打标机在塑料光纤(POF)表面雕刻散射点的侧面均匀发光光纤,可用作自由立体显示器的定向背光光源。通过建立激光打标凹形散射点的POF均匀发光模型,推导了POF均匀发光的散射点坐标计算公式。针对设计的凹形散射点参数,用SolidWorks软件构建侧面发光光纤模型,用TracePro软件进行光线追迹仿真。结果表明,散射点长度半圆心角(用于表征凹形散射点的深度和横向长度)的微小变化对发光亮度均匀度影响较大,而凹形散射点轴向宽度的微小变化对POF侧面发光均匀度影响很小。对各参数进行设计优化后,得到POF半径R=0.25 mm,凹形散射点宽度d=0.15 mm,散射点长度半圆心角θ=15°,POF长度L=600 mm,TracePro软件仿真得到POF侧面发光亮度均匀度为87.5%。根据设计优化后的参数采用激光打标机进行激光雕刻POF表面散射点,得到单根POF的侧面发光亮度均匀度为80.90%。将100根侧面发光POF紧密排布成面光源,得到面光源发光亮度均匀度为88.91%。实验结果表明所提出的设计方法和制作的POF面光源能满足自由立体显示器指向性背光源设计的要求。
其他文献
The Orion facility at the Atomic Weapons Establishment in the United Kingdom has the capability to operate one of its two 500 J, 500 fs short-pulse petawatt beams at the second harmonic, the principal reason being to increase the temporal contrast of the
从微观出发研究电声子相互作用对折射率的影响。用半经典方法导出一个适用于晶态和无序度小的介质折射率公式和折射率温度系数公式。首次指出电声子相互作用引起的折射率温度系数,高温时为一常数,低温时与T~3成正比。并与实验作了对比,理论曲线与实验符合得很好。用得到的公式计算了好几种材料的温度系数。计算值与实验值相符合。
We demonstrate by finite-difference time-domain simulations that a one-dimensional (1D) photonic crystal (PC) structure between glass substrate and indium tin oxide layer can improve the light extraction efficiency of organic light-emitting diodes. The ex
采用光场的量子理论导出了双模He-Ne激光场二阶相干度g(2)(τ)的时谱公式,讨论了g(2)(τ)的周期性、时谱特性和光子反相关效应,并在分析其频率调谐特性的基础上,探讨了双模激光场g(2)(τ)的时谱特性在双模激光线宽ΔvD的测量和双模激光稳频稳幅中的可能应用。
Pockel’s effect and optical rectification induced by the built-in electric field in the space charge region of a silicon surface layer are demonstrated in a {001}-cut high-resistance silicon crystal. The half-wave voltage is about 203 V, deduced by Pockel
以遥感影像为数据源、地表温度为指标,评价成都1988~2013年城市热环境特征。结果表明:城市热场中高温区域向外迁移,2013年转移到三环至绕城区域;特高温类型面积逐年减小,2005~2013年平均每年减少1.83km~2,高温和次高温类型面积分别增加26.90km~2和45.35km~2;4个时段的年际城市热岛强度(UHII)按照先减小后增大再减小的规律变化,2005年UHII最强为4.37℃。
期刊
新近完成的飞行试验表明,连续波气体激光测高计已显示出足够高的精确度和分辨能力,超过雷达。使航空摄影测绘和航空探测可能有重大的进展。
期刊
期刊
Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes (APDs). In this work, avalanche characteristics and single photon counting performance of 4H-SiC n-i-p and p-i-n APDs are compared. By studying the ev