陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf／SiC工艺及连接性能

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuerenqiu

【摘要】

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采用陶瓷先驱体转化法连接Cf／SiC复合材料。针对Cf／SiC复合材料的不同连接界面特性，采用不同的连接配方和工艺。结果表明：对于第一类以SiC相为主的连接界面，采用单一的聚硅氮烷即

【作者】

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刘洪丽田春英吴明忠

【机构】

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佳木斯大学材料科学与工程学院

【出处】

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中国有色金属学报

【发表日期】

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2008年2期

【关键词】

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CF/SIC复合材料聚硅氮烷连接界面特性 Cf/SiC composites polysilazane joining interface prop

【基金项目】

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黑龙江省教育厅科学技术研究资助项目（11511382）,黑龙江省普通高校青年学术骨干支持计划资助项目（1151G049）,黑龙江省自然科学基金资助项目（E2007-23）.

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采用陶瓷先驱体转化法连接Cf／SiC复合材料。针对Cf／SiC复合材料的不同连接界面特性，采用不同的连接配方和工艺。结果表明：对于第一类以SiC相为主的连接界面，采用单一的聚硅氮烷即可实现Cf／SiC复合材料的连接，当连接温度为1300℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29．6MPa；连接层厚度为2～3μm，其结构较为均匀致密，由无定型SiNC陶瓷组成；对于第二类以C纤维端面为主的连接界面，采用聚硅氮烷并加入活性填料纳米Al粉来实现其连接：当连接温度为1150℃，经两次浸渍／裂解增强

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