【摘 要】
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在半导体激光器芯片加工方面，采用传统的芯片减薄并口抛光技术难以满足芯片加工要求。基于这种情况，文章提出采用摇摆式垂直切深进给晶片减薄工艺和化学机械抛光工艺进行半导体
【机 构】
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国家知识产权局专利局电学发明审查部
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在半导体激光器芯片加工方面，采用传统的芯片减薄并口抛光技术难以满足芯片加工要求。基于这种情况，文章提出采用摇摆式垂直切深进给晶片减薄工艺和化学机械抛光工艺进行半导体激光器芯片加工。从工艺效果来看，采用这些工艺技术进行砷化镓芯片加工，可以得到厚度在100μm以下，表面粗糙度在5nm以下的芯片，所以能够较好地满足半导体激光器芯片加工要求。
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