硫钝化GaAs MESFET的机理研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gongwj123

【摘要】

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研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因.

【作者】

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【机构】

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河北半导体研究所,河北工业大学

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2002年7期

【关键词】

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