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β-Ga2O3鳍式场效应管(FinFET)相关论文
超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9 eV,击穿电场强度高达8......
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