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“闩锁”效应相关论文
IGBT器件结构的改进与器件性能的提升
绝缘栅型双极晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)器件因其具备良好的开关速度、较低的功耗和易于控制和驱动的特性而......
学位
绝缘栅型双极晶体管
少子分布
雪崩击穿
“闩锁”效应
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