Ⅲ族氮化物半导体相关论文
Ⅲ族氮化物半导体有着直接宽带隙、高电子漂移速度、高热导率、高击穿电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，在照明领域发挥着广......
Ⅲ族氮化物半导体因其连续可调的宽广的直接带隙及其优越的物理、化学性质，在光显示、光照明、光存储、光探测和功率电子器件等光电......
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度，成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种......
利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气（2DEG）的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管（HEMT）的压强传感器;......
Ⅲ族氮化物,包括InN,GaN,AlN以及它们的合金。因为它们具有直接带隙结构,而且其带隙宽度从0.7eV到6.2eV连续可调,很适合用以制造固......
Ⅲ族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景......
<正>继硅(Si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,由Ⅲ族氮化物引领的第三代半导体闪亮登场并已逐渐发展壮大......
