Ⅲ-Ⅴ族化合物相关论文
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强......
LED即Light Emitting Diode（发光二极管）,是一种由Ⅲ-Ⅴ族化合物无机材料加工而成的固态半导体器件,通过PN结间的电子、空穴复合释放......
晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制......
赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-......
美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更......
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本学位论文围绕量子级联激光器（QCL）的材料生长、特性和气态源分子束外延（GSMBE）技术为主线展开。本文针对量子级联激光器对InP基、GaA......
本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性......
基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高......
低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维......
