二次缺陷相关论文
对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1 600、-1 200、-800、-400、400、800、1 200和1 600V静电打击,每次静电打击后,测量LED电学参数......
用150瓦连续波CO_2激光束照射硅片,观察到了其氧化层错的消除现象,并对消除机理进行了探讨。
A 150-watt continuous wave CO2 la......
本文介绍了高能离子注入的射程分布、损伤分布及退火,最后介绍了高能离子注入的主要用途。
This paper introduces the range dis......
2012年9月23 ~ 28日,IUMRS-ICEM2012大会“新型热电材料的前沿专题”成功举办,众多专家汇聚一堂,共议热电材料发展.rn美国Californi......
微机保护测控装置二次缺陷常常造成严重危害,必需重点解决此类问题。文章分析了造成此缺陷的因素,并针对具体的缺陷进行理论分析然后......
随着电网调度管理的智能化水平的进一步提高,电网调度自动化系统的内涵也进一步的拓展和完善,调度自动化系统的正常运转为保证电网......
半导体器件和集成电路中存在着两大类应力,提出了应力及其引起的二次缺陷产生的原因、以及如何减小产生的应力和减少二次缺陷的措......
本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发......
红外探测和太赫兹波探测技术,在军事、天文及成像领域发挥着越来越重要的作用。阻挡杂质带(Blocked impurity band,BIB)探测器,因为......