二次退火相关论文
中锰钢（Medium Manganese Steel,MMS）兼具高强度与高塑性,在汽车板材等领域具有良好的应用前景。研究表明,含铝中锰钢在单轴拉伸过程......
Ni_2In类型六角结构的MnMX(M=Co、Ni,X=Ge、Si)合金具有非常丰富的磁-结构特性,近年来正成为一种潜在的磁性多功能材料。作为MnMX......
为了提高光信息存储密度,应使用波长尽可能短的激光器.另外,半导体材料在发光二极管(LED)也有广泛的应用,发光二极管的全彩化是趋......
金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳......
摘 要：采用二次退火工艺发挥无取向电工钢材料的性能，进一步降低产品的铁损。研究结果表明：传统工艺流程生产的50W800产品在710~790℃......
利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一......
针对实际生产中Invar合金抗跌落性能差的问题,对Invar合金试样进行了不同温度(800℃、900℃、1000℃)的退火、不同变形量的冷变形......
通过1Cr12Ni3Mo2VN（KT5312AS6）钢不同的退火工艺、退火温度及时间、二次退火及退火冷却方式对硬度的影响实验研究,得出本钢种最佳退......
采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及......
从高斯晶粒的起源、晶粒抑制剂的作用以及织构和晶界的演变等几方面，介绍了近20年来高斯取向硅钢研究的成果，总结了初次退火对高斯取......
GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然.本文对Si基n型GaN上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了......
在蓝宝石衬底上,利用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备p-i-n结构AlGaN基体,采用常规工艺制作台面型紫外探测器。电子束蒸发......
介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器......
<正> 一、概述这个铌合金被列为中强度合金。它具有很好的加工性能和良好的低温、室温塑性,其抗碱金属腐蚀性能优良。添加碳是为了......
对两种状态的TC4ELI钛合金进行疲劳对比试验,分析二次退火对疲劳性能的影响。结果表明,当最大疲劳应力为0.8Rp0.2及以上时,二次退......
溴化铊(TlBr)作为一种很有前途的室温半导体核辐射探测器材料，近些年被国内外广泛研究。TlBr材料有其独有的特点，高原子序数(Tl:81, ......
采用化学成分、组织、脱碳及硬度、观察断口宏观形貌等检测手段,分析了M2冷拉扁钢在拉拔过程中发生断裂的原因。认为硬度高、塑性......
