二氧化铪相关论文
通过X射线光电子能谱对沉积在Si基底上的High-K薄膜的热稳定性进行了研究。我们主要研究了铪为主要成分的高介电常数物质。我们分......
复合材料由至少为50%(体积)的 Si_3N_4(a)和10～50%(体积)的三元氧化物(b)的混合物配制而成;(b)含有10～30%(分子)TiO_2、10～30%(分子)......
蛋白质的磷酸化是一种重要且可逆的翻译后修饰过程,它参与和调控生物体内的许多生命活动。但异常的磷酸化也会导致人类疾病的发生......
随着CMOS特征尺寸不断减小,已经接近物理极限,传统Si基CMOS器件开始出现诸如漏致势垒降低效应、漏源穿通效应、短沟道效应、迁移率......
将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器具有非易失性、读写速度快、低功耗以及抗辐射等其它类型的存储......
本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有Al2O3、HfO2......
VO2是一种典型的热致相变化合物,相变温度为68℃,随温度的升高,发生从高温金属相到低温半导体相的转变,而且它的物理性能也随之发......
二氧化铪是一种重要的宽禁带过渡金属氧化物,具有高的熔点、高的介电常数以及优良的化学稳定性等诸多特点,因此近年来引起了许多研......
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气......
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中......
运用广义梯度近似密度泛函理论方法（GGA-PW91）结合周期平板模型,研究水分子在二氧化铪（111）和（110）表面不同吸附位置在不同覆盖度下的吸......
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会议
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对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与......
在过去二十多年里,Si基元器件的大小遵循Moore定律按比例的持续减小。对于下一代金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）器件,原来的栅极......
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采......
以HfO：和ZrO2为基的二元氧化物材料因具有高介电常数(High-k),在微电子领域早已成为研究热点并被实际大规模应用,已广泛取代SiO2作......
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管（TFT）进行器件仿真，并结合实验验证，重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。......
透明氧化物半导体Hf02属于第三代宽禁带半导体,在可见光区具有很高的透过率,在红外区具有很高的反射率,被广泛应用于微电子学,光电......
利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X......
<正>二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料,因其较高的介电常数值(～20),较大的禁带宽度(～5.5eV),以及在......
氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该......
阻变存储器（RRAM），由于具有功耗低，读写速度快，可擦写次数多等优点，成为下一代不挥发存储技术的重要候选者。二氧化铪(HfO2)是半导体产业......
在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质厚度已减薄至原子尺度范围,电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增......
随着集成电路工艺的不断发展,CMOS器件尺寸随之缩小。尤其是在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质,由于其厚度已减......
本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H2O）为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方......
二氧化铪(HfO2)是一种优质的高抗损伤阈值薄膜材料,是制作高功率激光系统的薄膜器件的首选高折射率薄膜材料。HfO2具有附着力好、......
二氧化铪具有透射波段宽(230nm～10μm)、折射率高和优异的化学稳定性,使它在光学薄膜制备中得到高度重视。特别是用二氧化铪作为高......
