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半导体工业的迅猛发展推动了低温等离子体加工技术和加工工艺的不断改进。为适应超细线宽介质的精确刻蚀,人们提出了双射频激发的......
使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。......