光电化学刻蚀法相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

光电化学刻蚀法相关论文

电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响

采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的......

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无机非金属材料宏孔硅阵列光电化学刻蚀法表面形貌 COMSOL multiphysics多物理场仿真软件

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