光输出功率相关论文
为改善GaN基发光二极管（LED）的光学性能，设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO2/Ti3O5分布式布拉格反射镜（DBR）结构的蓝光和白光G......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有广泛的应用前景.通过优化GaN基蓝光激光器的封装结构,采用双......
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有广泛的应用前景。本论文通过优化GaN基蓝光激光器的封装结构，......
该文采用Essential Macleod软件设计了一种在420 nm～480 nm波段且具有全入射角度、高反射率(大于96％)的TiO2/SiO2分布布拉格反射镜(D......
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通......
Al Ga N基深紫外发光二极管(DUV LED)拥有环保、安全、高效和低功耗等特点,在众多领域均具有独特的优势,包括杀菌消毒、水和空气的......
【摘 要】LED作为一种全新的光源技术，其应用越来越广泛。怎样去测试LED的性能及使用寿命，一直受到行业和各使用部门的关注。本文就......
【摘 要】超辐射发光二极管（SLD）作为一种非相干性宽带光源，其性能介于激光器和发光二极管之间，具有宽的光谱以及较大光输出功率特性，成......
研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层（MQB-EBLs）对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率（LOP）的主......
目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出......
综述了国内外在LED钝化材料、钝化工艺和钝化处理对LED性能的影响等方面的一些主要研究进展,指出了以蓝宝石为衬底GaN基LED钝化材......
近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
从90年代氮化镓(Gallium Nitride，GaN)材料出现以来，InGaN/GaN量子阱蓝绿光发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)技术得到了很大的......
由于大功率半导体激光器(HPLD)具有电光转化效率高、器件尺寸小和单色性好等优点,其应用范围也在不断扩大。在这种情况下,人们对半......
本文提出并设计了一种全新结构的垂直腔面发射激光器:新型分布孔结构垂直腔面发射激光器。新型结构克服了原有VCSEL发射功率低,大......
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效，对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光......
