全耗尽绝缘体上硅器件相关硕士博士期刊学术论文

随着集成电路核心器件特征尺寸的不断缩减,传统体硅器件的短沟道效应变得愈发不可控。当工艺节点进入到28nm后,全耗尽绝缘体上硅(F......