关态泄漏电流相关论文
对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚......
随着数字集成电路的广泛应用,金属一氧化物一半导体场效应(MOSFET)器件和MOS集成电路在军事,航天,核技术等特殊环境下的应用越来越......
随着MOSFET器件尺寸的成比例缩小,栅氧化层的厚度也不断的减小,泄漏电流成为低功耗和便携用非易失性存储器及CMOS逻辑电路所面临的......