研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管。设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4 mm×12 m......

与氮化镓(GaN)相比,超宽禁带半导体—金刚石具有更高的禁带宽度、更高的热导率和相当的载流子迁移率,在大功率微波毫米波功率器件......

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