击穿电场相关论文
碳化硅（SiC）金属-氧化物-场效应晶体管（MOSFET）是当前主流的功率半导体器件之一,目前仍面临高电场下栅介质层的漏电流及可靠性问题。本......
聚丙烯作为一种复合绝缘材料目前已广泛应用于射频电容器及电力电缆等设备中.聚丙烯混合天然纳米黏土颗粒后可作为一种纳米复合绝......
SiC作为第三代半导体材料,其结构稳定,有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度,适合制作高温、高......
微波诱导无极放电是利用微波能量激发放电气体并维持稳定放电而发光的一种放电形式,长期以来一直受到人们的关注.为了对应用于照明......
<正>氧化镓（β-Ga2O3）单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.84.9eV,具有独特的紫外透过特性（吸收截止边260nm）;击穿电......
事件： 继硅（S i）引导的第一代半导体和砷化镓（G a A s）引导的第二代半导体后，以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）、氧化锌（Z n O）、金刚石、氮......
研究了MnCO3掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料压敏-介电性能的影响,研究中发现,掺入x(MnCO3)为0.08%的样品显示出最高的非线性系数(α......
设计了一种基于两线偏振模(LP0x1和LP0y1)干涉和石英晶体逆压电效应的反射式500 kV全光纤高电压传感器系统,分析了传感器的测量原......
该文研究了显微结构对BaTiO3陶瓷电热特性与击穿电场的影响。采用固相反应法制备BaTiO3粉体,经干压结合冷等静压工艺成型后,在不同......
研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度......
相比第1代与第2代半导体材料，第3代半导体材料是具有较大禁带宽度（禁带宽度>2.2eV）的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮......
继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（A1N）为代表的第三......
采用固相反应法制备了SrTiO3+xmol%Zn2SnO4(x=1,2,5,10)陶瓷,研究了Zn2SnO4掺杂对SrTiO3陶瓷烧结温度和储能性能的影响。结果表明,......
为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响,对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用C-V和I-V方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行......
陶瓷储能电容器能实现瞬间大电流、高电压放电,在储能脉冲功率器件中具有不可替代的地位。然而当前受到其储能密度低的限制,远远不......
<正>以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第3代半导体材料,是继以硅(Si)基半导体为代表的第1代半导体材料和以砷化镓(GaAs)和锑化......
气体开关是脉冲功率技术中广泛应用的关键部件之一,高功率、高性能气体开关的技术研究及设计具有重要意义,陡化前沿是开关技术研究......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑,以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大......
本文采用扩散控制的微波击穿模型,计算了低气压空气的微波击穿电场。为获得简单而直观的计算方法,利用了直流场中的气体放电基本参......
<正> 一、概述我们知道在六十年代出现的半导体集成电路,是与半导体工艺的发展紧密联系的,其中最重要的是硅平面工艺的发展。硅平......
SPT-IGBT(Soft Punch-Through IGBT)革命性的制造工艺和结构为其带来了功耗低、功率处理能力强、速度快、可靠性高等优点,较大程度......
当前新能源,新材料的创新和研发已经成为社会关注的焦点。功能材料在两个领域中均占有重要地位,它具有一种或多种优异的光、磁、电......
