势垒层相关论文
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究......
本论文研究的是类钙钛矿材料CaCu3Ti4O12(CCTO)。此材料在低频下有巨介电常数(～10,000)，且在相当宽的温区(100-400K)内介电常数保持......
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErA......
电子全息显微术可以同时提供电子波的振幅和相位信息,从而使这种先进显微分析方法在磁场和电场分布等与相位密切相关的研究上获得......
目前,超大规模集成电路（VLSI）已发展到每单片上制造100,000个以上元件的集成度,对这种电路除了要求新的电路设计、新的器件结构与工......
从双异质结AlGaN/GaN/AlGaN HMET器件的结构特点,分析了影响二维电子气（2DEG）的若干因素,如AlGaN势垒层中AL组分、势垒层厚度、GaN层......
<正> 高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关......
