宽带隙（3.2 eV）的铜铁矿结构CuCrO2是一种p型透明导电氧化物（TCOs）,由密排[Cu+]层和[CrO6]共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,能自发形成C......

层状铜铁矿CuCrO2是一种宽禁带（3.2 eV）透明导电氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,自发形成Cu空位产生的空穴......

近年来,通信系统的高速化和电子元器件的小型化加速了无线通讯行业的发展。以此为背景,行业中对相关微波器件的要求愈发严格,需要......

离子束溅射(IBS)与电子束蒸发(EBE)是常用的SiO2薄膜制备方法。基于椭圆偏振法和全光谱拟合法,研究了离子束溅射和电子束蒸发两种......