半导体光电材料相关论文
ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60meV，高于室温热能26meV，因而理论上室温下即会获得高效......
学位
目前,随着能源危机和环境污染问题的日益突显,基于太阳能的光电材料受到越来越多人的关注。然而,传统光电材料面临着材料结构单一......
微纳核-壳结构半导体光电材料，由于具有独特的理化特性，近来得到了人们的广泛关注，并已经应用于光电化学太阳能电池、光电子器件、光......
对于聚合物与有新奇结构的多臂纳米棒形成的复合结构薄膜，不仅增大了电荷分离的界面，而且具有优异的一维电荷输运性质，且解决了普通的......
光电半导体是可以实现光电转化的重要功能材料,广泛应用于二极管、发光电极、太阳能电池和探测器等诸多电子器件。其中,稳定性较高......
ZnO是一种直接宽禁带半导体光电材料,室温禁带宽度为3. 37 eV,自由激子结合能高达60meV,远大于GaN的25 meV和ZnSe的22 mev。ZnO薄......
