原位退火相关论文
采用直流磁控溅射及真空原位退火方法制备半导体CrSi2薄膜,研究了退火工艺和溅射工艺,通过X-射线衍射仪（X-ray diffraction-XRD）和扫......
高温超导材料在强电和弱电领域中的应用都非常广泛,超导薄膜可在以薄膜基础的微电子学器件上首先突破应用。高温超导材料YBa2Cu4O8......
学位
随着无线电通信频带占用日益紧张，性能优良的声表面波器件正朝着高频化发展，高频声表面波“压电材料/金刚石”多层膜基片体系的研究......
在室温下，我们应用对靶磁控溅射法制备了五个系列类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜样品：磁性层厚度变化未退火系列、磁性层厚度变化400......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生......
ZnO是属于Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带氧化物半导体材料,具备直接带隙的性质。ZnO能否实现作为可持续发展光电材料的广泛应用的关键是制备良好......
Mg2Si是一种环境友好型半导体材料,具有良好的光电特性和热电特性,在光电探测器方面是一种很有潜力的材料。本文主要采用磁控溅射......
应用直流磁控溅射方法并结合原位退火工艺,在普通玻璃基片上制备了不同Fe掺杂的TiO2薄膜,沉积过程中保持基底温度300℃.实验结果表......
采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜，沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分......
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300......
MgB2良好的超导性能使其在超导电子应用方面有着广阔的前景，高质量薄膜是超导器件的前提，原位退火制备薄膜的方法具有适合多层膜器件......
在室温下,用对靶磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原......
铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4,简写为CZTS）作为导电类型为P型的四元化合物半导体具有锌黄锡矿结构,与铜铟镓硒（CIGS）的黄铜矿结构相似,其组成元......
基于将太阳能转换为电能的太阳能光伏技术制备的器件,太阳能电池,是一种具有可持续性、环境友好、化解困扰人类化石能源危机的有效......
