本文总结了用扫描电子显微镜对激光玻璃、激光晶体、激光薄膜、半导体激光器等激光材料和元件进行观察与分析的初步结果,讨论了扫......

本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si_3N_4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si_3N_4薄膜,附着......

近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。M......

为了能够正确反映出双异质结激光器的温度特性,对双异质结激光器（DH-LD）原有的Pspice模型进行了温度适用性修正,找出了原模型中被误......

半导体激光器俗称激光二极管,因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。其通过对工作物质的激励,从而实现粒......

综述了我国大功率激光器、晶体激光器、半导体激光器、气体激光器、化学激光器和染料激光器的发展概况及近况,并对进一步发展我国......

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后......

半导体激光器由于效率高、寿命长、使用方便及结构小巧等特点在近几年获得了迅速发展，目前它已占领了世界激光器市场的70％。但对高功......

<正> 光通信,是一种很有发展前途的利用光束来传递信息的新技术。光通信和电通信相似,也分为无线光通信和有线光通信。无线光通信......

本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发，研究一个高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)，具体方案是采用分子束外延法在InP衬底......

采用LP-MOVPE技术,研制出InGaAs/InP双异质结宽接触和质子轰击条形激光器。宽接触室温阈电流密度为1.6kA/cm~2。质子轰击条宽为8μ......