随着科技的不断进步,人类已经步入信息时代,微电子器件已经应用到人类生活的各个方面。但是科技的发展同时也带来了新问题,由于微......

显示和发光技术的发展使得应用于光源的白光发射材料得到高度关注。近年来，人们发现非晶SiOxCy、非晶SiC∶H以及非晶Si∶C∶O∶H材......

研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250～600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552......

采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电......

通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子......

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极......

随着超大规模集成电路（ULSI）中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介......