反向漏电流相关论文
随着半导体分立器件技术的不断发展,中国已经成为世界上分立器件的制造大国。分立器件的测试需求大大增长,对测试机的需求也急剧增......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
采用UMC 0.18μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路。介绍了几种典型的负电压......
针对目前市场上二极管HTIR在线测试系统的空白，本文提出了一种新的HTIR在线测试方法，采用了一种新的高温自热的方式，彻底改变了以往必......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂......
本文在简要介绍玻璃钝化封装二极管(以下简称玻封二极管)可靠性指标的基础上,着重论述了决定该器件的电学性能、结构形式、封装材......
基于大量的具有热斑缺陷的晶硅光伏组件测试结果,将热斑种类归纳为阴影遮挡型热斑和非遮挡型热斑.分析阴影遮挡型热斑组件的I-V曲......
整流二极管高结温下反向漏电流随温度增加,工作可靠性随结温的升高而降低,现有的测试技术无法逐一剔除高温漏电流较大的器件.本文......
提出一种具有低反向泄漏电流和低导通电阻的SiC MPS二极管,它利用刻槽注入P区的方法突破SiC中P型离子注入深度的限制,同时采用一种......
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V......
描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相......
作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF～TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF～TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采......
本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_（rr）、正向......
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金......
测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流......
指出过去在标征压力传感器的指标时，忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流，但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影......
利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射......
随着无线设备变得更加复杂,以及消费者需要更长的电池使用时间,制造商需要尽可能地省电。消耗相当大部分电量的一个领域是液晶显示......
本文通过一系列的验证试验查找离子注入电池生产中遇到的反向漏电流大的成因并提出解决办法,对提升产品合格率起到关键作用,最终达......
以不同反向漏电流等级的多晶硅太阳电池封装成的光伏组件和实际发生热斑失效的光伏组件为研究对象,通过数值模拟和实验研究的方法,......
(一) 简介超声波清洗在半导体工业和其他金属清洗上已广泛应用,它是把去污剂及水的混合溶液置于超声波清洗槽中,然后把工作件放入......
随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器......
采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电......
本文介绍了２ＤＷ_（２３２－２３６）~（１４－１８）型硅电压基准二极管的研制过程及研制结果。
This article describes the 2DW_ (232-236) ~ (14-18) type silicon v......
考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法......
将酸制绒方式与双层膜工艺进行结合,研究发现酸制绒电池片跟碱制绒电池片相比,除短路电流和效率略低外,开路电压、并联电阻和反向......
为了减小反向漏电流对太阳能电池性能的不良影响,该文通过实验,对比了两款银颗粒均匀度不同的浆料,并将其分别印刷于两组硅片表面;......
在功率系统中,小的正向开启电压、低反向漏电流、高开关速度和高反向击穿电压是一个良好的整流器件需要具备的条件。对于SiC功率二......
说明高灵敏度小功率磁放大器在航空、自动控制等领域里得到广泛的应用。这种磁放大器具有灵敏度高(控制信号0.1mA),放大倍数大(功......
掺金和掺铂技术被广泛地应用于制造快恢复二极管中，这两种技术各具优缺点。本实验提出金铂双掺杂技术，与掺金和掺铂技术相比较，综合考......
随着国力的增强,我国在电力电子相关领域注入了大量的人力、物力,作为电力电子技术中的基础——功率半导体,正在快速发展,国产功率......
本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)......
用半绝缘性非晶硅做为硅器件的钝化保护膜经我们长期实验已取得显著效果。它能大大降低器件的反向漏电流,提高击穿电压并使特性稳......
相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合制备高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(......
本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了......
<正> 本文所讨论的电路,用于加速器脉冲磁场的测量。其中的峰值检波电路,用于脉冲励磁电流在取样电阻上产生的脉冲电压的测量。分......
本文研究高压硅半导体器件P-N结表面与表面保护材料的界面问题,作者分析了反向漏电流随电压的变化规律,在此基础上提出钝化系数BID......
设计了一款在0～100℃和反向电压‰为0～1000V条件下，能够测试二极管反向漏电流特性的测试仪．它采用桥式输入、ICL7650组成的高精度放大......
<正> ZQ型汽车整流二极管用于汽车发电机的三相整流桥上。汽车工作环境十分恶劣,环境温度在-40～65℃之间,元件通电后发热引起的温升......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带半导体,常温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,在蓝紫发光器件、紫外探测器、短波长激光二......
结势垒控制肖特基整流管(Junction—Barrier—controlled Schottky Rectifier缩写JBS)是一种新型的肖特基整流管,它集肖特基整流管......
提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribu......
