反射高能电子衍射相关论文
随着电子信息产业的快速发展,目前的半导体器件尺寸在集成方面已经逼近摩尔定律的极限,同时由于材料研究与生产工艺水平等方面的限......
在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控.利用RHEED衍射......
氧化物薄膜由于其丰富的物理性质可广泛地被应用于微电子学、光电子学和微电子机械系统等领域,对其制备工艺和生长控制的研究愈加......
近年来,铁电薄膜由于其在集成电路和其它功能器件中的应用受到了越来越多的关注。在这些应用中,制备供集成铁电薄膜的优质底电极就......
在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延......
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各......
在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上，采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术，以SiH4＋H2为气源，硅......
论述了反射高能电子衍射（RHEED）作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系，提出了以RHEED图......
在改进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强金属有机物化学汽相沉积（ECR-PEMOCVD）装置（ESPD-U）中，以氮等离子体为氮源，三乙基镓（TEG）为镓源，在蓝......
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件......
国内首次利用固源分子束外延（MBE）技术，在衬底温度为1100℃时，以Si（111）为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过x射线衍射（XRD）、拉......
利用固源分子束外延（SSMBE）生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC（0001）面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子......
分别在未沉积Ge和不同衬底温度（300、500、700℃）沉积Ge条件下，利用固源分子束外延（SSMBE）技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能......
我们自行研制了具有三级差分气路可以在高气压下工作的RHEED系统(High-pressure RHEED)，并利用本系统实时监测了(001)SrTiO3基片上S......
采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻......
氮化镓（GaN）基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料是制备蓝光到紫外光波段的半导体发光二极管（LED）、半导体激光二极管（LD）等光电器件的首选材料......
利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生......
对SiC表面进行传统湿法清洗之后,采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体系统在200℃低温条件下对SiC表面进行了氢等离子体处理,对处理前......
本论文采用RF-MBE系统开展了氮化铝(AlN)单晶薄膜外延生长的基础性研究工作。对蓝宝石衬底进行了高温去气、化学腐蚀、氮化等处理......
