反应气体相关论文
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在浮法玻璃生产线上直接制备低辐射镀膜玻璃(在线LOW-E)具有产量大、成本低、膜层硬度大、耐久性强......
报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气......
本文研究以单脉冲TEACO_2激光诱导乙烯-氧爆燃反应,测定了激光频率、反应气体总压力、C_2H_2和O_2的比例以及金属Pt-Rh及电解银表......
采用管式连续流动反应器,研究了在电解银催化剂上甲醇氧化为甲醛的动力学,测定了在颗粒状的催化剂上空速为11000时~(-1)、反应温度......
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积......
本文研究了在反应物低化学计量比下,质子交换膜燃料电池在不同温度、压力下的性能.实验结果表明,能够维持质子变换膜燃料电池在预......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
高频感应等离子法与直流电弧法相比 ,等离子体的容积大 ,直径达几十毫米 ;等离子流速小 ,每秒几十米 ,可在氧化、还原多种反应气体......
提高熔融碳酸盐燃料电池(MCFC)性能、延长其寿命是促进其商业化的关键。对MCFC主要性能影响因素：工作压力、温度、反应气 体的组成......
在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存......
利用一个三维蛇形流场燃料电池模型，分析了反应气体的不同化学计量比对质子交换膜燃料电池超调的影响。结果表明：在反应气体的相对湿......
样品类型：金刚石,硅衬底;制作方法：MPECVD表面外延生长,反应气体：CH4、H2、Ar、850 W和2.45 GHz;仪器型号：Phenom G2;取图时间：2012-09-......
在有催化剂溶液存在的条件下氧化一种反应气体的方法，在该方法中，1）反应气体氧化形成的反应混合物含有催化剂溶液的液滴，反应混合物，2）被......
1系统性能质子交换膜燃料电池（PEMFC）发电系统一般以氢气为燃料．以空气为氧化剂。电池堆内产生的热量由空气来进行冷却，再利用电池堆阴......
气体流量对质子交换膜（PEM）燃料电池的性能和运行成本具有重要的影响。利用燃料电池电流密度分布测量垫片对PEM燃料电池的电流密度分......
在高中化学学习阶段,经常遇到恒压、恒容条件下分别通入与反应有关或无关气体两大类题型.在考虑压强的影响时,因为无法找到总压强......
本文采用电子辅助增强热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,CH4/H2、CH4/H2/Ar气体和不同比例的四种气氛制备了纳米金刚石薄膜,利用Raman......
采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。......
本文介绍了用HFPECVD(hot filament plasma enhanced chemical vapor deposition)法制备BN薄膜.通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分......
以ZrCl4-BCl3-H2-Ar为反应体系,采用化学气相沉积法在石墨基体表面制备ZrB2涂层.使用X射线衍射和扫描电镜（SEM）研究H2和B与Zr的摩尔......
研究了AMOLED柔性薄膜封装PECVD系统中射频功率和反应压力对氮化硅薄膜应力的影响,结果表明,射频功率的改变影响离子对衬底的轰击......
利用等离子体增强化学气相沉积系统，用CH4、NH3和H2为反应气体，在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳......
随着“人造太阳”、太空观测、武器系统等大型装备的发展,高品质光学元件的需求日益增加。离子束抛光技术(IBF,Ion Beam Figuring)......
应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2......
本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度......
钢铁生产过程CO2的资源利用问题将对我国CO2减排任务的完成起到重要作用.以CO2在钢铁工业中的资源化利用为出发点,分析了国内外CO2......
研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响 ,提出了一种简单反应气体在线监控法......
