三元层状碳化物Ti3SiC2,其结构属于六方晶系,兼具金属和陶瓷的特性,具有很多优良性能。迄今为止,主要制备方法有:化学气相沉积法、......

本文采用两个系列配比，分别以Ti/TiC/Si和Ti/TiC/Si/C为原料，采用反应熔渗烧结工艺，通过调整原料的起始配比、烧结工艺参数（烧结温度、......

采用反应熔渗法制备Ti3SiC2陶瓷材料；利用HST-100销盘式高速载流摩擦试验机，在法向载荷为20N，滑动速度为5～25m／s，电流为15～35A的条件下，研......

采用反应熔渗烧结方法制备了弯曲强度达262 MPa的MoSi2/SiC复相材料,并研究了其烧结过程和烧结机理。结果表明:MoSi2/C坯体中熔渗......