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概述了有序纳米线/棒/管阵列的性质、应用及制备方法的研究进展,着重介绍了有序纳米线/棒/管阵列材料的制备方法如气相-液相-固相......
有机电荷转移盐复合物Ag-TCNQ和Cu-TCNQ具有独特的电学、磁和光学双稳态特性，在微电子器件、分子电子器件和大容量存贮器方面有着广......
氮化硼(BN)是一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料。其晶体主要有两种结构形式：sp~2杂化结构的六角氮化硼......
场发射显示器(Field Emission Display,FED)具有轻薄、功耗小、图象质量好等优越特性,被认为是下一代理想的平板显示器。碳纳米管......
氮化硼(BN)是一种应用极为广泛的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,BN膜通常是利用物理及化学气相沉积的方法获得的。沉积BN膜所用衬底材料一般为......
本论文采用混合溶剂热法合成了各种硫属半导体纳米/微米材料,探讨了产物的形成机理,并对产物进行初步的性能探索。在乙二胺—水—......
本论文发展了基于液相和固相制备稀土纳米材料的合成方法,旨在探索可用于稀土发光标记物纳米材料的控制合成及温和条件合成稀土硼......
碳纳米管(carbon nanotube,CNT)是1991年被发现的一种具有准一维管状结构的纳米材料。其独特的结构和奇特的性质使得它在纳米电子......
国际半导体技术蓝图（ITRS）预言了先进Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（CMOS）器件尺寸缩减的趋势。当栅层的等效氧化厚度小于1......
