集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注.目前碳基纳电子的发展基于一维......

随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点......

二维材料（2D）具有单原子层级的厚度及稳定的物化性能。通过将不同的2D材料以平面或者垂直堆叠的形式组合成不同的异质材料,可以得到......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长G......