坩埚位置相关论文
单晶硅氧含量的高低,直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应,决定了直拉单晶硅......
摘 要:单晶硅氧含量的高低,直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率[1]。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应,决定了直......
采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液......