外延层厚度和掺杂浓度相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

外延层厚度和掺杂浓度相关论文

高压VDMOSFET击穿电压优化设计

通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结......

期刊

纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管击穿电压结终端扩展终端结构外延层厚度和掺杂浓度

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