多面体铜沉淀相关硕士博士期刊学术论文

由空位聚集而形成的空洞型缺陷(Void)是直拉硅单晶中一种重要的原生微缺陷,它们的存在不仅会使栅氧化物的完整性(GOI)受到严重破坏......