套刻精度相关论文
随着芯片特征尺寸的减小,光刻成像技术的不断提高,而关键尺寸(CDs)的缩小则产生了更为精确的套刻精度.这些套刻精度在已随着工作台......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼......
UV—LIGA技术在制备多层复杂微结构时存在如何确保多层套刻对准精度，尺寸控制精度及层间良好结合的问题。该文对这些问题进行了分析......
国际半导体技术发展路线(TheInternational Technology Roadmapfor Semiconductor)2002年版是在其前身ITRS 2001的基础上修改和推......
铝互连线采用三明治结构的多层金属薄膜的堆叠（stacked structure）,底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和......
套刻精度是步进式光刻机最重要的指标之一。从应用角度探讨了Nikon系列光刻机的对准方法 ,举例说明了众多对准标记在实际掩模版上......
为了用更简单的光学器件使对准标记产生的衍射光实现重叠干涉,同时能够降低对准系统的加工和装调难度,设计了基于瞳面干涉的自参考......
ＢＧ－１０１Ｊ分步光刻机检测记录（六）套刻精度检测一、工艺过程及条件衬底材料：铝显影温度：２０．５℃机器温度：２０℃±０．２℃气压：显影时间：４５ｓ日期：９４．１２．９湿度：４８％测试人：孙家彬二、......
着重介绍了当前国外步进扫描投影光刻机的工件台和掩模台的发展状况,并对套刻精度和整机精度进行了分析。......
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状，就０５μｍ分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的......
为了拓展KrF光刻在小于 1 80nm的SIA设计规则技术阶段的制造能力 ,需要一种最大 0 7NA透镜的远紫外步进扫描曝光系统来提供足够的......
<正> 〔本刊讯〕由中国科学院光电技术研究所承担的“七五”国家重点科技攻关项目IOE1010G 直接分步重复投影光刻机(简称DSW 光刻......
光刻是集成电路及其它半导体器件制造的核心工艺,号称关键性和战略性技术。本文首先对光刻的概念及其相关词语的含义进行了探讨,试......
期刊
<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几......
光刻巨头ASML Holding NV（ASML）公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT，套刻精度（overlay）及生产能力（productivity）显著提高，将有力推动......
期刊
随着芯片特征尺寸的减小 ,光刻成像技术的不断提高 ,而关键尺寸 (ＣＤｓ)的缩小则产生了更为精确的套刻精度。这些套刻精度在已随着工作......
