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热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响
利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处......
期刊
富硅氧化硅薄膜
热处理温度
掺硼
发光中心
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SRSO films
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B-doping
luminescent
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