小信号等效电路相关论文
为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法.该方法仅依赖于S参数测试数据,采用......
随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......
本文用HEMT小信号等效电路模型 ,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点 ,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电......
将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传......
采用扩展描述函数法建立了串联谐振DC/DC变换器的小信号等效电路模型。通过仿真得到了频率特性曲线,分析了电路主要参数,包括输入......
文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法，着重论述二种改进的算法，并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电......
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小......
提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法.在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确......
提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法，包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量，确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和......
半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管......
微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数。采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等......
利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system......
为了有效地表征45nmMOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nmMOSFET的器件物理结构及其导纳参数......
介绍了增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法，并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数．利用ADS软件......
高电子迁移率晶体管（HEMT）以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用，本文在传统优化方法的基础上，对差分进化算法进......
该文介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取及其仿真软件的研制.首先,通过一系列公式推导并提出器件的模型,确定外......
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究,给......
[摘 要] 由三極管构成的多级放大电路是“模拟电路”课程教学中的重要内容之一，通过将单级放大电路适当组合，可以提高放大电路的性能......
20世纪50年代以来,硅一直都是半导体领域中最重要的材料,而随着微电子技术的不断发展,硅基功率器件性能接近其理论极限,改善速度已......
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性......
近年来,由于微波技术的不断发展,微波半导体器件已经在无线通信、遥测系统、导航以及军事领域取得了广泛的应用。GaN作为第三代半......
化合物半导体高电子迁移率晶体管等效电路建模是微波电路领域的一个重要课题,模型的精确度直接决定仿真结果的可信度。随着无线通......
